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据韩媒消息，英特尔有望在下月对SK海力士的10nm级第5代（1β·12纳米）服务器DRAM启动兼容性验证程序。这也意味着该代产品已经进入量产前的最后流程。

SK海力士此前在上个月举行的2022年第四季度业绩公布电话会议上宣布，将“在今年年中完成1β DRAM量产的准备工作”1月，SK海力士还完成了全球首个10nm级第4代（1α、14nm）服务器DRAM与英特尔第4代英特尔至强可扩展处理器（Sapphire Rapids）之间的兼容性验证。

SK海力士有望通过推出未来量产的1β DRAM等下一代存储器，保持行业领先的竞争力。1β DRAM相比现有第4代产品效率提升40%以上，具有更高的成本竞争力。目前，DRAM产业争相量产1β nano。去年12月，三星电子开发出1β纳米工艺的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD完成了兼容性验证。

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